L-FW802C

   正负载流子既有可能以能带模式输运,如有机晶体中;也可能以跃进模式输运,如非晶态有机材料中;也可能是二者的混合。通常情况下,同一材料中正负载流子的迁移率也不尽相同。众所周知,当在中性分子中性孤立分子中能级分布,sO为基态,s1、Tl分别为单线态和三线态能级,JP型民)为解离能,D愆E/4c)为电子亲和能;tb)理想晶体中正负载流子能级分布,Fh和Ee分别是空穴和电子能级位置,VB和CB分别是传输空穴的价带和传输电子的导带,尾和晃分别是平均电子极化能和平均空穴极化能.

   是能隙;(c)离子化晶体中正负极化子能级位置及其统计分布,APh和APe分别为空穴和电子相对于平均极化能的极化能偏差;ld)能隙中的陷阱能级位置,分别为处于能级E的电子或空穴的高斯型密度分布,Et为陷阱能级,Ct(Fl是陷阱密度分布加入一个电子时,有可能形成稳定的负离子;而从中性分子中移出一个电子时,有可能形成正离子。向中性分子中加人电子时所释放的能量称为电子亲和能(electron aⅢnity)E/,由中性分子中移出一个电子所需要的能量称为解离能(ionization potential)rP。〃和fP分别对应于分子的最低空置能级GUMO)和最高占据能级(HOMO)亦即导带⒆B)底端和价带(VB)顶端,它们又分别对应于电子输运轨道和空穴输运轨道。由于形成晶体时强烈的极化作用(电子极化能为凡,空穴极化能为Ph),与孤立分子相比,晶体Ez4能级显著降低,而fP能级显著提高,有