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结型场效应管的质量判别

发布时间:2019/4/7 13:56:23 访问次数:972

   IRFR3704ZTRPBF

 

   结型场效应管的质量判别:用万用表R×100挡,测量结型场效应管栅极与其他两个电极之间的正、反向电阻值。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该管已击穿或己开路损坏。

   要检测结型场效应管的放大能力,可用万用表R×100挡,红表笔接源极s,黑表笔接漏极D,测出漏源极之间的电阻值RDs后,再用手捏住栅极G,万用表会向左或向右摆动(多数结型场效应管的RDs会增大,表针向左摆动;少数结型场效应管的RDs会减小,表针向右摆动)。只要表针有较大的摆动,就说明该管有较大的放大能力。

   晶闸管的种类很多,通常按电流容量、通断及控制方式及关断速度等分类。晶闸管的分类正向阻断电压uDRM:是指晶问管在正向阻断时,允许加在阳-阴极间最大的峰值电压。此电压约为正向转折电压I/:。减去100V后的电压值。反向击穿电压tJ:R:是指在额定结温下,在阳一阴极间加正弦半波反向电压,当其反向漏电流急剧增加时所对应的峰值电压。

    VMOs大功率场效应管的质量判别:用万用表R×1k挡或R×10k挡,测量VMOs场效应管 任意两个电极之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极之间的正向电阻值较小外,其余各引 脚之间的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值为0,则说明该管已击穿损坏。

   晶闸管俗称可控硅,是一种“以小控大”的功率开关型半导体器件。具有硅整流器件的特性, 能在高电压、大电流条件下工作,其工作过程可以控制,被广泛应用于调光、调速、调压、温控、 湿控、逆变及变频等电子电路中。


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   结型场效应管的质量判别:用万用表R×100挡,测量结型场效应管栅极与其他两个电极之间的正、反向电阻值。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该管已击穿或己开路损坏。

   要检测结型场效应管的放大能力,可用万用表R×100挡,红表笔接源极s,黑表笔接漏极D,测出漏源极之间的电阻值RDs后,再用手捏住栅极G,万用表会向左或向右摆动(多数结型场效应管的RDs会增大,表针向左摆动;少数结型场效应管的RDs会减小,表针向右摆动)。只要表针有较大的摆动,就说明该管有较大的放大能力。

   晶闸管的种类很多,通常按电流容量、通断及控制方式及关断速度等分类。晶闸管的分类正向阻断电压uDRM:是指晶问管在正向阻断时,允许加在阳-阴极间最大的峰值电压。此电压约为正向转折电压I/:。减去100V后的电压值。反向击穿电压tJ:R:是指在额定结温下,在阳一阴极间加正弦半波反向电压,当其反向漏电流急剧增加时所对应的峰值电压。

    VMOs大功率场效应管的质量判别:用万用表R×1k挡或R×10k挡,测量VMOs场效应管 任意两个电极之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极之间的正向电阻值较小外,其余各引 脚之间的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值为0,则说明该管已击穿损坏。

   晶闸管俗称可控硅,是一种“以小控大”的功率开关型半导体器件。具有硅整流器件的特性, 能在高电压、大电流条件下工作,其工作过程可以控制,被广泛应用于调光、调速、调压、温控、 湿控、逆变及变频等电子电路中。


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