高阻状态下测试时,在掉电的瞬间, LM4040AEM3-3.0-T由于Cl两端存在电压,其中的能量会继续提供给DC/DC电源模块工作一段时间,同时Cl中的能量因DC/DC电源模块的△作而迅速被消耗掉,即Cl两端的电压迅速降低,直到C1两端的电压不能使DC/DC电源模块正常工作。如图5.54中所示的那样,从-31Ⅴ开始DC/DC电源就不处于正常工作状态,因此消耗也大大减少,Cl两端的电压下降也变得非常缓慢。这就是产品在高阻状态下测试时,C1两端的电压没有很快跌到零,而会保持-31Ⅴ一段时间的原因。

   另外,由于C1两端的电压下降使DC/DC电源模块停止工作后,使得原来那些由DC/DC电源模块供电的后一级集成电路,只能靠C2来维持一段时间,但是集成电路不像DC/DC电源模块那样有很宽的正常工作电压范围。据统计,一般集成电路的正常工作电压是额定电压的±5%,这个电压范围很难由C2来维持一段较长的时间,通常DC/DC电源模块的输出电压为零,集成电路也很快消耗C2中的能量,使C2两端的电压小于正常电压的g~s%,这时集成电路相当于掉电,即出现系统复位现象。

   为何在低阻状态下进行测试时,增加储能电容的值,“保护”现象无明显的改善,而在高阻状态下却效果明显?

   原来,在低阻状态下测试时,电压跌落与中断模拟器的输出内阻呈低阻状态,相当于供电源短路,如图5.56所示。在电压跌落的瞬间,储能电容CI的电压一方面继续给DC/DC电源模块供电,另一方面通过模拟器侧的短路回路进行放电,并且很快被放到零电压。据实

际测试C1=锣uF时,这个时间约为50灬,远小于1ms。由于Cl向模拟器侧的短路回路的放电时间常数远小于向DC/DC电源模块放电的时间常数,因此即使增加C1的容量(如1OO uF、200uF等)也没有明显改善测试结果。

   在高阻状态下测试时,电压跌落与中断模拟器内阻呈高阻状态,相当于电压源与产品供电电源人口断开,如图5.贸所示,在电压中断的瞬间,储能电容Cl上的能量只能消耗在DC/DC电源中,储能电容值的增加,会对测试结果产生明显的效果。