美信MOSFET驱动器功率高达2W 尺寸仅3×3mm
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:359
美信集成产品公司(Maxim Integrated Products)的高速、双MOSFET驱动器——MAX5054，在70℃条件下驱动功率达2W。
该驱动器适用于功率MOSFET开关、电机控制及小型高频开关电源的设计，每个MOSFET驱动器的输入输出峰值电流可达4A，传输延迟20ns。信道间匹配的传输延迟典型值为2ns且部件间的延迟小于10ns。
MAX5054的额定工作电压为4V至15V，可承受18V的瞬间电压，控制电压最高达18V，与VDD电压无关。该器件包括抑制状态转换间的内部冲击电流的逻辑电路。可选择VDD/2 CMOS(MAX5054A)或TTL(MAX5054B)逻辑输入。
该产品的工作温度范围在-40℃至125℃之间，采用3×3mm、8引脚热性能较好的TDFN封装，焊盘外露。FET驱动器采用TDFN封装比LLP封装节省44%空间，比8引脚SO封装节省71%空间。
（转自 电子工程专辑）
美信集成产品公司(Maxim Integrated Products)的高速、双MOSFET驱动器——MAX5054，在70℃条件下驱动功率达2W。
该驱动器适用于功率MOSFET开关、电机控制及小型高频开关电源的设计，每个MOSFET驱动器的输入输出峰值电流可达4A，传输延迟20ns。信道间匹配的传输延迟典型值为2ns且部件间的延迟小于10ns。
MAX5054的额定工作电压为4V至15V，可承受18V的瞬间电压，控制电压最高达18V，与VDD电压无关。该器件包括抑制状态转换间的内部冲击电流的逻辑电路。可选择VDD/2 CMOS(MAX5054A)或TTL(MAX5054B)逻辑输入。
该产品的工作温度范围在-40℃至125℃之间，采用3×3mm、8引脚热性能较好的TDFN封装，焊盘外露。FET驱动器采用TDFN封装比LLP封装节省44%空间，比8引脚SO封装节省71%空间。
（转自 电子工程专辑）
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