通常反射率计由光源、单色仪和探测器等组成,要求所用的光对生长层是透明的。其P89C51RD2HBA工作原理是基于外延层一衬底界面和外延层表面产生的Fabry-Perot干涉形成振荡周期。这个振荡周期通常与光源波长、材料厚度及相应波长在材料中的折射率有关。最简单的反射谱是记录垂直照射到生长层表面的单色光的反射随时间的变化。如取GaN折射率为2,35,入射波长为b~s5nm,垂直入射时每一个振荡周期对应的外延层厚度为135nm。由此也可以根据周期及其时间跨度计算出生长速度。目前使用的光源波长主要有635nm、95Onm和400nm。

   在中晟MOCVD等新型技术设备中,辐射高温计和反射率计已被成功集成于同一套测量系统内,使得设备装配简洁的同时提升了测量功能和数据处理能力。

   翘曲率测量仪,又称光束挠度计(dcncct。mcter),专用来测量外延片的翘曲曲率。在外延生长中,外延层与衬底材料通常为异质外延生长,这样就容易产生应力。应力使外延片发生翘曲。通过测量翘曲率,来计算异质外延生长时由于晶格失配和热失配所产生的应力,反之可利用相关信息优化外延生长工艺和托盘的设计,实现衬底片上均匀的温场分布和材料的外延均匀生长,避免翘曲甚至裂纹出现,保证外延材料的高质量。例如,在GaN基LED外延生长过程中,通过监测翘曲率知晓实时生长时的应力情况,及时调整参数以规避过大弯曲,使得外延生长成功。又如,通过预知外延片在不同阶段翘曲情况,可以相应改变生长参数使在生长InGaN量子阱时衬底处于平坦状态且与基座有良好的热接触,从而改善衬底温度均匀性,提高器件发光波长的均匀性。