虽然全球DRAM价格走势呈现跌多涨少趋势，市场对未来DRAM价格走势也审慎以对，但据台湾DRAM大厂对2004年总产能规划进度，可明显看出台湾DRAM厂商的产能成长幅度，将远高于全球总产能成长幅度，然在标准型DRAM产出部分，将与全球DRAM厂的平均水准相当。换言之，台湾DRAM厂目前正不断积极调节旗下DRAM产能，估计2004年台湾DRAM厂标准型DRAM产出量成长率平均仅约30％，而这样标准与过去业界动辄高达50～60％成长率，明显要降低许多。

    由于近来全球DRAM产业低迷，DRAM厂对频频下跌的合约价及现货价感到忧心，唯恐DRAM价一再破底，重蹈过去每颗不到1美元的窘境，加上原本市场推测，2004年台湾DRAM厂产出量成长幅度将相当惊人，其中，甚至有台厂2004年产出成长率将高达90％以上，将可能造成DRAM产业再次面临崩盘危机。

    台湾DRAM厂对此指出，2004年投片量多数确定会增加，加上无论8吋厂或12吋厂的制程技术，也均有突破性发展，因此，整体产能成长幅度将十分可观，也将远高于其余国际DRAM颗粒厂平均标准。

    力晶指出，就2003年12吋厂加上8吋厂总产能将达1.8～1.9亿颗（256Mb单位计算），进入2004年后整体产能提升，预计将由现在近2亿颗，快速拉高至3.6亿颗左右，也就是说，2004年力晶产能成长幅度将高达近90％。至于茂德，到2003年底结束前，产出量约2.2亿颗，2004年则因其8吋与12吋厂多数改采0.12微米制程技术，加上其现有12吋厂投片量到2004年确定将达1.8万片，估计总产出量达到3.1～3.2亿颗，成长幅度约45％。南亚科2003年总产能估计约2亿颗，2004年产能成长主要来自于2座8吋厂制程技术的提升，到2004年中，2座8吋厂约有85％产能将全数改由0.11微米投片，2004年12吋厂产出几乎挂零，但8吋厂制程大幅拉高，总产能由2亿颗成长至3亿颗，成长幅度约50％。

    以此预估，台湾DRAM颗粒厂产出成长将远高于全球平均水准，不过，若单就标准型DRAM颗粒产出成长幅度计算，台湾各DRAM颗粒厂将因8吋厂部份转做晶圆代工及12吋厂转做Flash产品影响，标准型DRAM颗粒产量成长幅度也仅30％，此一幅度与全球DRAM厂2004年DRAM颗粒厂产出成长平均幅度相差不多。

    据了解，力晶2004年将因其旗下8吋厂产能全数转做晶圆代工，部份12吋厂产能也将生产NAND型Flash，估计2004年标准型DRAM颗粒成长率约26％；南亚科2004年约有10％转做特殊型DRAM颗粒及晶圆代工，标准型DRAM颗粒成长率约在35％；茂德同样因特殊型DRAM颗粒需求量大增，标准型DRAM颗粒成长率也将达到30％；至于2家宣布渐退出DRAM颗粒的华邦电及世界先进，其标准型DRAM颗粒成长率则分别出现零成长及负成长。

    全球DRAM颗粒价将因全球DRAM厂标准型产能大幅降低产出，价格遭到破坏可能性也将随之降低不少，同时一并消除市场认为DRAM颗粒价将因台系DRAM厂大量开出产能，导致价格无法上扬的疑虑。