文章加入时间：2004年6月25日8:56:09

SiGe Semiconductor公司宣布推出可帮助改善Wi-Fi系统性能的新型功率放大器、开关和RF前端参考设计。新型SE2528L功率放大器在802.11g模式下运行时，可提供+23dBm的输出功率，误差向量值(EVM)为3.0%。

当与SiGe的新型SE2560L开关配合使用时，制造商能够设计出可使天线上的输出功率达到+20dBm的系统。当使用接入点、打印机、台式计算机和其它装配了Wi-Fi的消费电子设备时，高输出功率使用户能够保持更长距离的无线连接。该参考设计包含了收发器与天线间所需的所有电路，并结合了包括功率放大器、启动电路、功率检测器、开关和滤波装置等器件。RF前端参考设计适用于高性能WLAN系统。

SiGe Semiconductor公司无线功率放大器业务总监Andrew Parolin指出：“我们的新型参考设计提供了一个经过全面测试和验证的开发平台，该平台剔除了RF前端设计中的猜测过程。我们与客户进行了紧密合作，共同开发市场上性能最高的功率放大器和开关组合。将这些产品与我们的参考设计结合使用可使制造商能够快速提供WLAN系统。”

SE2528L基于SiGe Semiconductor的功率放大器架构，该架构专门针对802.11b和802.11g运行而进行了优化。这种功率放大器采用硅锗技术，可在3.3V和5V的电压下工作，其包括片上电源启动开关、偏压控制电路和功率检测器。

SE2528L与采用转换配置的双刀双掷(DPDT)RF开关SE2560L直接相连。这种开关是采用pHEMT工艺制造的，该工艺确保了WLAN系统所需的低插入损失和高线性。SE2560L能够连接两个天线，而无需使用RF分频器。该器件能够与SiGe Semiconductor的2.4GHz功率放大器结合使用。 （转自 电子工程专辑）