功率半导体领先供应商——国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步OSFET，新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装。IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS = 4.5V)和低封装电感，体现最佳性能组合，可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器，大幅提升笔记本电脑和服务器的效率IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流，适用于网络及通信领域。

    目前，采用英特尔迅驰 (Centrino)移动技术的笔记本电脑都配备为处理器而设的电源解决方案；该方案采用两相设计，每相分别备有一个控制和两个同步SO-8封装MOSFET。这三个SO-8器件可利用一对DirectFET器件取代-IRF6612作为同步MOSFET，IRF6608作为控制MOSFET。相比现在采用标准分立器件的电路设计，DirectFET解决方案既能减少器件数量，也可将MOSFET所占印刷电路板面积缩小33%。

    IR中国及香港销售总监严国富表示：“IRF6612把IR最新、最先进的沟槽MOSFET技术和DirectFET封装技术结合，为空间有限的笔记本电脑大幅提升功率密度。这对于发展迅速的轻巧纤薄型笔记本电脑尤为重要。在可利用气流的高档台式机和服务器设计中，IRF6612只需一个低端电脑器件便可将电流承载能力扩展至每相30A。”IR的DirectFET MOSFET封装具备一系列在标准分立塑封内前所未见的崭新设计优点。其“金属帽”结构可散去主机板的热量，消除热量对高级微处理器性能的严重威胁。

    此外，DirectFET功率MOSFET藉采用崭新双面冷却设计，为驱动这些处理器的高频直流-直流降压转换器带来双倍电流处理能力，延展它们在高档台式计算机、膝上型计算机、路由器及服务器中的先进效能。