F1ash型存储器和单片机的连接过程
发布时间:2018/3/5 21:28:17 访问次数:474
F1ash型存储器和单片机的连接过程, 与相同容量的图6.28所示是单片机扩展8KB(28sZ1)夕卜部连接原理图。JANS1N4101UR
U3的地址范围为0000H~1FFFH(8KB)。
2864读/写操作:
读操作:单片机读取Fl凼h芯片内部数据过程,与访问静态RAM相同,在编程过程只要保证F1ash芯片在有效的逻辑地址空间即可。
图628 单片机写2864连接原理图
写操作:由于Flash芯片特点,写数据时间远大于读操作时问,同时Flash芯片为保护自身存储数据的可靠性采用了若干限制写数据的措施,因此单片机在对芯片进行写操作时,需要特定流程才可完成。不同厂家及不同容量的芯片,流程略有不同,建议参考具体型号的芯片手册完成。以下给出满足Atmcl公司AT28C“B芯片写流程的汇编程序。
F1ash型存储器和单片机的连接过程, 与相同容量的图6.28所示是单片机扩展8KB(28sZ1)夕卜部连接原理图。JANS1N4101UR
U3的地址范围为0000H~1FFFH(8KB)。
2864读/写操作:
读操作:单片机读取Fl凼h芯片内部数据过程,与访问静态RAM相同,在编程过程只要保证F1ash芯片在有效的逻辑地址空间即可。
图628 单片机写2864连接原理图
写操作:由于Flash芯片特点,写数据时间远大于读操作时问,同时Flash芯片为保护自身存储数据的可靠性采用了若干限制写数据的措施,因此单片机在对芯片进行写操作时,需要特定流程才可完成。不同厂家及不同容量的芯片,流程略有不同,建议参考具体型号的芯片手册完成。以下给出满足Atmcl公司AT28C“B芯片写流程的汇编程序。
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