MAX764基本应用电路
发布时间:2018/2/3 20:49:02 访问次数:848
MAX764的基本应用电路如图4.123所示。电路输入电压为3~16V,输出电压为-5V⒚5011aA。外接狎uH的电感,330uF的输出滤波电容。 TAS5186ADDVR基本工作原理如下:内部MOsFET导通时,E中流过电流,蓄积能量;内部MOsFET截止时,吸收能量,z中的能量经肖特基二极管ˇD整流,对G充电而蓄积能量,供给负载。内部电路采用PFM调制方式,内部电压比较器检测到偏离输出电压规定值时,使内部MOsFET导通。MOsFET以导通时间16,截止时间23I】s重复工作,到下次偏离输出电压规定值时再导通,不偏离规定值时截止。输出电压。叽由外部设定,R1=150⑽,凡由R2=Rl(%/IfREF)确定。选用外接元件时,要注意电感线圈的最大额定电流和肖特基二极管的最大额电流。MAXT“的最大负载电流为乃OlmA,这时线圈和二极管的最大负载电流需要75ClmA。电感线圈的电感值要求不太严格,选用范围为22~68uH,但线圈直流电阻要低于100mΩ。输出电压中高频纹波电压的振幅由线圈电流的变化和输出电容的等效直流电阻的乘积决定,在⒛0mA电流变化、输出电压纹波峰-峰值为50mV的情况下,必须选用等效电阻在0.25Ω以下的有机半导体电容或钽电容。
MAX764的基本应用电路如图4.123所示。电路输入电压为3~16V,输出电压为-5V⒚5011aA。外接狎uH的电感,330uF的输出滤波电容。 TAS5186ADDVR基本工作原理如下:内部MOsFET导通时,E中流过电流,蓄积能量;内部MOsFET截止时,吸收能量,z中的能量经肖特基二极管ˇD整流,对G充电而蓄积能量,供给负载。内部电路采用PFM调制方式,内部电压比较器检测到偏离输出电压规定值时,使内部MOsFET导通。MOsFET以导通时间16,截止时间23I】s重复工作,到下次偏离输出电压规定值时再导通,不偏离规定值时截止。输出电压。叽由外部设定,R1=150⑽,凡由R2=Rl(%/IfREF)确定。选用外接元件时,要注意电感线圈的最大额定电流和肖特基二极管的最大额电流。MAXT“的最大负载电流为乃OlmA,这时线圈和二极管的最大负载电流需要75ClmA。电感线圈的电感值要求不太严格,选用范围为22~68uH,但线圈直流电阻要低于100mΩ。输出电压中高频纹波电压的振幅由线圈电流的变化和输出电容的等效直流电阻的乘积决定,在⒛0mA电流变化、输出电压纹波峰-峰值为50mV的情况下,必须选用等效电阻在0.25Ω以下的有机半导体电容或钽电容。
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