飞兆MOSFET技术降低Miller电荷
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:370
飞兆半导体公司日前宣布其性能先进的PowerTrenchMOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg)，并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd：Qgs)的比率，在同步降压应用中带来良好的开关性能和热效率。
低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短“死区时间”，以改善稳压性能。理想的Qgd：Qgs比率可以防止栅极误触发，这在MOSFET用作同步整流器时会在开关MOSFET之间产生短路电流。该公司的两种新型30V MOSFET———FDS6294和FDS7288N3，具备改进型快速开关技术的优势，分别适用于笔记本电脑和POL(负荷点)转换器设计。 （转自 中电网）
飞兆半导体公司日前宣布其性能先进的PowerTrenchMOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg)，并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd：Qgs)的比率，在同步降压应用中带来良好的开关性能和热效率。
低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短“死区时间”，以改善稳压性能。理想的Qgd：Qgs比率可以防止栅极误触发，这在MOSFET用作同步整流器时会在开关MOSFET之间产生短路电流。该公司的两种新型30V MOSFET———FDS6294和FDS7288N3，具备改进型快速开关技术的优势，分别适用于笔记本电脑和POL(负荷点)转换器设计。 （转自 中电网）
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