Hynix计划2月量产闪存目标是NAND三强
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:420
韩国Hynix Semiconductor计划2月份量产512-Mbit NAND闪存，采用120纳米工艺。
这将比2003年4月提出来的时间表晚几个月。当时Hynix和意法半导体(STM)宣布了一项协议，合作开发全系列的NAND闪存，分别负责销售，首先在2003年下半年开始生产512-Mbit闪存。
韩国三星电子(Samsung Electronics)是全球最大的DRAM制造商和第二大芯片生产商，该公司在2003年初开始由DRAM转向闪存，进军非易失性内存市场。德国芯片制造商英飞凌(Infineon)也表示，已在2004年1月推出一款512-Mbit NAND闪存。
据介绍，继512-Mbit NAND闪存之后，Hynix计划在第四季度以前生产1-Gbit和2-Gbit NAND闪存，采用90纳米工艺。Hynix同时打算在2005年以前成为销售额第三大的NAND闪存生产商。
韩国Hynix Semiconductor计划2月份量产512-Mbit NAND闪存，采用120纳米工艺。
这将比2003年4月提出来的时间表晚几个月。当时Hynix和意法半导体(STM)宣布了一项协议，合作开发全系列的NAND闪存，分别负责销售，首先在2003年下半年开始生产512-Mbit闪存。
韩国三星电子(Samsung Electronics)是全球最大的DRAM制造商和第二大芯片生产商，该公司在2003年初开始由DRAM转向闪存，进军非易失性内存市场。德国芯片制造商英飞凌(Infineon)也表示，已在2004年1月推出一款512-Mbit NAND闪存。
据介绍，继512-Mbit NAND闪存之后，Hynix计划在第四季度以前生产1-Gbit和2-Gbit NAND闪存，采用90纳米工艺。Hynix同时打算在2005年以前成为销售额第三大的NAND闪存生产商。
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