联电宣称其90纳米工艺超过台积电
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:322
日前，台联电(UMC)宣称其在90纳米制造工艺方面已经超过了竞争对手——台积电(TSMC)。
台联电于2003年3月宣布采用90纳米工艺为客户制造芯片，随后赛灵思(Xilinx)公司和德州仪器(Texas Instruments)宣布实现量产。
台联电声称其从小批量到大批量(ramp-to-volume)生产的速度超过了晶圆代工行业的竞争对手。
台联电的首席执行官Jackson Hu表示：“工艺技术要领先，需要在研发资源上下很大功夫。台联电的基本策略就是要帮助客户提高产品的竞争力，而领先的工艺对此有很大作用，因此台联电在研发方面是不遗余力的。”
台联电计划在台湾的Fab 12A厂扩大90纳米工艺300mm晶圆的生产。该计划根据目前客户的需求而订，并且台联电将在其位于新加坡的300毫米晶圆厂(联电国际，UMCi)实现90纳米工艺量产。 （转自 电子工程专辑）
日前，台联电(UMC)宣称其在90纳米制造工艺方面已经超过了竞争对手——台积电(TSMC)。
台联电于2003年3月宣布采用90纳米工艺为客户制造芯片，随后赛灵思(Xilinx)公司和德州仪器(Texas Instruments)宣布实现量产。
台联电声称其从小批量到大批量(ramp-to-volume)生产的速度超过了晶圆代工行业的竞争对手。
台联电的首席执行官Jackson Hu表示：“工艺技术要领先，需要在研发资源上下很大功夫。台联电的基本策略就是要帮助客户提高产品的竞争力，而领先的工艺对此有很大作用，因此台联电在研发方面是不遗余力的。”
台联电计划在台湾的Fab 12A厂扩大90纳米工艺300mm晶圆的生产。该计划根据目前客户的需求而订，并且台联电将在其位于新加坡的300毫米晶圆厂(联电国际，UMCi)实现90纳米工艺量产。 （转自 电子工程专辑）
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