虽然半导体晶圆的尺寸从途in增加到了12in,今天所用的制造微电子器件的干法刻蚀I艺的开发在很大程度上还是大量耗费时间和金钱的实验探索。OAR5-R025FI部分原因是由于腔室尺寸的增大、紧密交织在一起的各种△艺材料以及苛刻的工艺要求,造成了众所周知的I艺开发的复杂性。研发人员在设计大尺寸干法刻蚀机时,如果没有深刻地理解刻蚀过程中的基础物理化学反应,就不可避免地要耗费大量的金钱与时间。等离子表面相互作用的基础研究,无沦是实验的还是数值的,在工艺和刻蚀反应器的开发过程中都起到了关键作用,为限制巨大的△艺变量空间提供了重要见解。简而言之,干法刻蚀建模是减小昂贵实验负担,加快大尺寸刻蚀反应器开发的必要方式。

   所需要的千法刻蚀机模拟器应该强调基础等离子现象,并可以扩展应用到各种反应器形状、复杂的反应类型和不同的激励方式,比如RIE、CCP和1CP。从基本的物理学研究的角度来看,在一个简单的反应器形状中,单一的激励方式,外加有限的气体应是首选。从技术开发的角度来看,刻蚀机模拟器需要具有更多的通用功能。