皇家飞利浦电子日前宣布其位于法国Crolles 的Crolles 2晶圆厂的CMOS生产线和台积电晶圆厂生产出了首批硅芯片，开创了90nm CMOS芯片投产的先河，具有里程碑意义。飞利浦CMOS090LP是世界首批低电漏90nm CMOS 工艺制造的系统芯片解决方案之一。该商用硅芯片集成了ARM处理内核和SRAM、ROM以及专为无线应用设计的模拟信号电路。

    低电漏 90nm CMOS处理工艺由飞利浦和摩托罗拉、意法半导体等其他Crolles2合作成员联合开发，它能帮助设计者通过选用更厚的栅氧化物以控制漏电流，使OEM能在满足严格功耗要求的前提下，进一步缩小芯片的面积。

    在数字电路的有源功耗方面， CMOS090L工艺比采用0.18-μm CMOS要节省75%功率，而数字电路占用的硅片区域内则可以减少至四倍之多。

    飞利浦半导体技术和战略部执行副总裁Theo Claasen表示：“由于企业日益依赖于低功耗和混合模拟/数字解决方案，以满足未来便携式多媒体消费类产品的性能需求。我们为飞利浦的Crolles2晶圆厂能在第一时间生产出首批产品而感到自豪。”

    首批产品也是对CMOS090LP 工艺设计环境的肯定，它证明飞利浦能及时实现全部芯片设计的日程安排。这次投产成功使得其它他几种产品也将在不久推出。

    飞利浦半导体90nm CMOS项目经理Jan-Marc Luchies表示：“除了成功地在第一时间生产出硅芯片以外，另一项令人满意的结果是Crolles2 晶圆厂和台积电晶圆厂能同时生产出性能一致的芯片。这说明先前 Crolles2 合作成员和台积电的晶圆工艺在设计规范和电参数方面的合作已卓有成效。”  

    飞利浦成功地在2004年第1季度内生产出首批硅芯片意味着它将在今年量产90nm CMOS产品。该项目的成功再次肯定了飞利浦与国际半导体技术发展规划(ITRS)的步伐一致。