日本半导体行业日前宣布一项9亿多美元的研发计划以便在2006年3月取代目前的“Asuka”计划。这个尚没有命名的计划旨在加强半导体行业、学术机构和政府部门在半导体芯片、半导体设备和材料研发方面的合作。

这个计划是日本电子和信息技术产业协会（JEITA）的半导体执行委员会于6月10日宣布的。这个计划要求在从2006年开始的五年里投资大约1000亿日元（9.1亿美元）。

目前的MIRAI计划是一项国家计划，主要研究45纳米和45纳米以下节点工艺的半导体基础技术。Asuka计划是由一些企业组成的，主要研究65纳米节点的工艺。这两个计划都在筑波的“超级净化室”进行。

这个新的计划将在联合的筑波研发中心与MIRAI计划的研发工作更紧密地结合在一起。这个新的研发计划重点研究远紫外光刻（EUV）技术、金属闸氧化物（metalgateoxides）和低介电值耐蚀膜等领先的半导体技术。这些技术的研发工作将全部在筑波的“超级净化室”进行。

Asuka计划是由日本电子和信息技术产业协会的半导体执行委员会成员公司中的10家大公司投资的。这个新的计划将有更多的公司参加。不过，这个计划不允许外国公司参加。

半导体执行委员会主席KaoruTosaka说，要开发多种技术，在日本完成这一切工作是不可能的。但是，这个计划是日本的国家计划，我们必须遵守政府的规定。但是，我们准备明年春季推出一个与外国公司合作的计划。 （转自 中国电子元器件网）