通孔-1和金属-z的形成(双镶嵌)
发布时间:2017/10/14 11:15:25 访问次数:773
通孔1和金属2互连的形成是通过先通孔双镶嵌工艺[13]实现的,如图3,13所示。首R1EX24512BSAS0G先沉积IMD2层(例如⒊CN500A,含碳低虑PECVD氧化硅-黑金刚石6kA),然后形成通孔1的图形并进行刻蚀。多层的IMD1主要是为了良好的密封和覆盖更加多孔的低泛介质。然后在通孔中填充BARC(为了平坦化)并沉积一层LTO。随后形成金属2的图形并可使氧化物。去除BARC并清洗后,沉积Ta/TaN和Cu种子层,随后进行Cu填充(使用ECP法)并进行CMP平坦化,这样金属2互连就形成了。这就是双镶嵌工艺[13]。通过重复上述的步骤,可以实现多层互连。
通孔1和金属2互连的形成是通过先通孔双镶嵌工艺[13]实现的,如图3,13所示。首R1EX24512BSAS0G先沉积IMD2层(例如⒊CN500A,含碳低虑PECVD氧化硅-黑金刚石6kA),然后形成通孔1的图形并进行刻蚀。多层的IMD1主要是为了良好的密封和覆盖更加多孔的低泛介质。然后在通孔中填充BARC(为了平坦化)并沉积一层LTO。随后形成金属2的图形并可使氧化物。去除BARC并清洗后,沉积Ta/TaN和Cu种子层,随后进行Cu填充(使用ECP法)并进行CMP平坦化,这样金属2互连就形成了。这就是双镶嵌工艺[13]。通过重复上述的步骤,可以实现多层互连。
上一篇：金属-1的形成(单镶嵌)
相关技术资料- 10-14通孔-1和金属-z的形成(双镶嵌)
- 相关IC型号
- R1EX24512BSAS0G
- 暂无最新型号
热门点击
- 调试的目的、内容与步骤
- 元器件引线的成形要求
- 图纸的幅面与字体高度对应关系
- 静电的危害通常表现在哪些方面?
- 拆焊方法
- 元器件引线的成形要求
- 设置背景空气域
- 外形美观
- 通孔-1和金属-z的形成(双镶嵌)
- 一个PCB的构成是在垂直叠层上使用了一系列的
推荐技术资料
- 泰克新发布的DSA830
- 泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析，DS... [详细]
公网安备44030402000607
