IR推出功率IGBT可提高电机驱动器性能
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:417
日前，功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一对600V、50A非穿通 (NPT) 分立式IGBT，适合采用D2Pak 及 TO-220封装的电机驱动应用。新器件设有“方形” 反向偏压安全操作区 (RBSOA) 及十微秒短路能力，有助改善电机驱动器的耐用性及可靠性。方形RBSOA可确保额定电流在更高电压下也不会降低。
全新的IGBT最适合硬启动、浪涌电流高至6kW的电机驱动器应用，典型应用范围包括真空系统以至开关磁阻驱动器和不间断电源。IR的薄型硅NPT技术能有效降低关断能耗，支持更高频率运行而不会增加传导损耗，同时有助减低热阻。新器件可在175℃以下结温运行，额定电流最大可达50A。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“更高频率运行有助扩展电机的速度范围，也可在更低速度下改善转矩控制，同时减低可闻噪音。IR这些具有更大额定电流的IGBT采用更小巧的封装，有效改善高性能电机驱动器的印板设计，减低系统成本。”
日前，功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一对600V、50A非穿通 (NPT) 分立式IGBT，适合采用D2Pak 及 TO-220封装的电机驱动应用。新器件设有“方形” 反向偏压安全操作区 (RBSOA) 及十微秒短路能力，有助改善电机驱动器的耐用性及可靠性。方形RBSOA可确保额定电流在更高电压下也不会降低。
全新的IGBT最适合硬启动、浪涌电流高至6kW的电机驱动器应用，典型应用范围包括真空系统以至开关磁阻驱动器和不间断电源。IR的薄型硅NPT技术能有效降低关断能耗，支持更高频率运行而不会增加传导损耗，同时有助减低热阻。新器件可在175℃以下结温运行，额定电流最大可达50A。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“更高频率运行有助扩展电机的速度范围，也可在更低速度下改善转矩控制，同时减低可闻噪音。IR这些具有更大额定电流的IGBT采用更小巧的封装，有效改善高性能电机驱动器的印板设计，减低系统成本。”
相关技术资料- 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS
- 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解
- 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴
- 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块
- 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计
- 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器
- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
