时下，大多数芯片制造商们都认为DRAM（动态随机存取存储器）在未来几年的市场前景一定是“无限光明”。如果仅从当前的市场表现来看，事实也的确如此。但《福布斯》高级分析师Arik Hesseldahl日前撰文表示：其实，目前的DRAM市场已经蕴藏无限“杀机”，而且很有可能导致该市场在未来几年内走向低迷。

    在过去三年内，DRAM芯片的供应量相对呈良性状态，价格也比较稳定。据市场调研机构Semico Research公司预计，03年全球DRAM销售额将达到165亿美元，04年有望增至200亿美元。但对于已采用300毫米硅晶圆制造技术的芯片制造商而言，该市场需求仍然是“杯水车薪”。

    目前，全球最大的存储芯片制造商三星公司，以及德国的Infineon芯片制造商均已抛弃了200毫米的硅晶圆制造技术，转向采用直径为300毫米的硅晶圆制造技术。而采用大尺寸硅晶圆制造技术，意味着每片硅晶圆将生产出更多数量的芯片产品。这在理论上可以提高生产效率、降低制造成本。但事实上，如果市场需求停滞不前，提高芯片产量对于获取利润反而是毫无意义的。同时，这也正是芯片制造商Micron科技公司对300毫米硅晶圆制造技术持谨慎态度的原因所在。尽管目前Micron公司已经拥有了300毫米硅晶圆制造技术，但其大部分芯片产品仍然采用200毫米的硅晶圆制造工艺。

    来自Needham的分析师Dan Scovel表示：“只有当市场需求出现急剧增长，制造工厂需要全负荷运转时，采用300毫米的硅晶圆制造技术才可以为企业赢得利润。这就是Micron迟迟不采用新技术的原因。”

DRAM市场所面临的另一问题是，越来越多的制造商开始转向其它芯片市场，这势必导致全球DRAM芯片价格的上涨。今年早些时候，三星公司表示，会把更多的工作重心转向闪存市场。中国台湾地区的Vanguard国际半导体公司、Mosel Vitelic、ProMos半导体、Winbond，以及PowerChip等制造商均表示，会完全退出DRAM市场。Scovel称：“当前，一些小型DRAM芯片制造商已开始纷纷转向其它芯片市场。”

    对此，Semico调研机构分析师Mark Godfrey表示：“制造商相继采用300毫米硅晶圆制造技术很可能导致全球DRAM市场在2005年出现低迷危机，主要问题在于300毫米的硅晶圆制造工艺已经远远超出市场需求。这意味着全球DRAM市场格局势必进行重组，将有越来越多的小型制造商被迫退出该市场，同时导致DRAM芯片价格出现上扬。”