单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:869
摘要:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。
关键词:栅极 悬浮 自举 欠压 IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容,输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。
1 引脚排列及功能
IR2117采用标准的双列直插式DIR-8或小型双列扁平表面安装SOIC-8封装形式,这两种封装形式的引脚排列相同,其引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能和用法如表1所列。
表1 IR2117的引脚说明
引脚号 | 符号 | 名 称 | 功能及用法 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1 | Vcc | 输入级工作电源端 | 供电电源,抗干扰,该端应接一去耦网络到地 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
2 | IN | 控制脉冲输入端 | 直接按控制脉冲形成电路的输出 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
3 | COM | 输入级地端及Vcc参考地端 | 接供电电源Vcc地 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
4,5 | NC | 空脚 | 悬空 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
6 | Vs | 输出级参考地端 | 接被驱动的MOSFET源极或IGBT射极及负载端 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
7 | HO | 驱动脉冲输出端 | 通过一电阻接被驱动的MOSFET或IGBY的栅极 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
8 | VB | 输出级工作电源端(高边悬浮电源端) | 当VB与Vcc使用独立电源时,接用户提供的电源,此时VB的参考地为VS而Vcc的参考地为COM。在两电源之间,电位应隔离。当VB
摘要:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。 关键词:栅极 悬浮 自举 欠压 IR2117 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容,输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。 1 引脚排列及功能 IR2117采用标准的双列直插式DIR-8或小型双列扁平表面安装SOIC-8封装形式,这两种封装形式的引脚排列相同,其引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能和用法如表1所列。
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