去耦电容的另一个作用是提供局部的能量存储源,可以减小电源供电的辐射路径。电路M25P16-VME6G中RF能量的产生是和rAr成正比的,这里J是回路的电流,⒕是回路的面积,/是电流的频率。因为电流和频率在选择逻辑器件时已确定,要想减小辐射,减小电流的回路面积变得非

常重要。在有去耦电容的电路中,电流在小RF电流回路中流动,从而减小RF能量。通过仔细放置去耦电容可以得到很小的回路面积。

   在图5.1中,Δσ是LdJ/山在地线上诱发的噪声,它在去耦电容中流动。这个Δ〃驱动着板上的地结构和分配系统中的共模电压流向全板。因此减小Δσ与地阻抗有关,也与去耦电容有关。

   去耦也是克服物理的和时序的约束的一种方法,它是通过在信号线和电源平面间提供一个低阻抗的电源来实现的。在频率升高到自谐振点之前,随着频率的提高,去耦电容的阻抗会越来越低,这样,高频噪声会有效地从信号线上泄放,这时余下的低频射频能量就没有什么影响了。

   根据去耦电容的工作原理,如果增加从电源线吸收能量的难度,就会使大部分能量从去耦电容中获得,充分发挥去耦电容的作用,同时电源线上也将产生更小的dJ/dr噪声。根据这一思路,可以人为增加电源线上的阻抗。串联铁氧体磁珠是一种常用的方法,由于铁氧体

磁珠对高频电流呈现较大的阻抗,因此增强了电源去耦电容的效果。

   旁路:把不必要的共模RF能量从元件或线缆中泄放掉。它的实质是产生一个交流支路来把不希望的能量从易受影响的区域泄放掉。另外,它还提供滤波功能(带宽限制),有时也笼统地称为滤波。

   旁路通常发生在电源与地之间、信号与地之间或不同的地之间,它与去耦的实质有所不同,但是对于电容的使用方法来说是一样的,所以以下所描述的有关电容的特眭均适用于旁路。储能:当所用的信号脚在最大容量负载下同时开关时,用来保持提供给器件的恒定的直流电压和电流。它还能阻止由于元件的dj/dJ电流浪涌而引起的电源跌落。如果说去耦是高频的范畴,那么储能可以理解为是低频范畴。要理解去耦与旁路,5.1.2~5.1.5节的部分内容,非常有必要了解。