氧化硅膜的击穿特性是MCE器件栅氧化膜和集成电路层间绝缘的电学特性和可靠性的一个重要量度。M430F112热生长的sC先膜击穿强度为(2~10)×10,但实际测得击穿电压要低,而且分散很大,这是由不同的击穿机理决定的。⒊Q膜的击穿机理大致分为=种:本征击穿、杂质击穿和缺陷击穿。击穿电压测试采用MOs结构电容器。用晶体管特性图示仪观测⒏02膜的Iy特性,确定击穿点;定义一个⒏O2膜的传导电流(如1uA)作为击穿发生点,相应的电压作为击穿电压。采用这种定义方式,虽然不一定得到真正的击穿电压值,但很适于作为栅氧化层击穿特性和工艺合格率的一个判据,而且适于微电子测试图形的自动测试。此法与MOS结构测试针孔的方法类似,但一般定义的针孔测试电流要小一些,电极面积也应小一些。

   4GV测量技术

   GV测量技术广泛用于S√Si02界面性质的研究,高频GV法已成为MOS工艺常规监测手段。可以测量固定电荷密度、Nf密度等。