除了要求低电阻率之外,还应抗电迁移能力强,理化稳定性能、机械性能和电学性能在经过后续工艺及长时间工作之后保持不变,最好薄膜淀积和图形转移等加工工艺简单、且经济,制备的互连线台阶覆盖特性好、PAM2301CAABADJ缺陷浓度低、薄膜应力小。

    实际上没有完全满足上述要求的金属或金属性材料,早期的ULSI是采用铝及铝合金作为导电材料。近年来随着工艺技术的发展,铜已成为金属导电材料的首选,在集成度更高的ULSI中有取代铝及铝合金的趋势。

   铜的优点包括:电阻率低,只有铝的40%~45%;抗电迁移性,好于铝膜约两个数量级。缺点有:铜在硅中是快扩散杂质,能使硅"中毒",铜进人硅内,改变器件性能;与硅、二氧化硅粘附性差。在工艺方面,在硅一铜之间增加黏附性强,且可阻止Cu向⒏中扩散的隔离膜。铜膜制各是先溅射铜种子层,再用化学镀、电镀制备铜膜。