实际热氧化工艺多是采用干、湿氧交KIA78L05替的方法进行,如3DK4的一氧工艺:干氧15min,再湿氧40rnin,最后干氧15min。干、湿氧交替进行的目的就是为了获得表面致密、针孔密度小、表面干燥、适合光刻的氧化膜,同时叉能提高氧化速率,缩短氧化时间。热氧化△艺流程一般遵循:洗片→升温→生长→取片这4个主要步骤。

   ①洗片:将准备氧化的硅片清洗千净,摆在石英舟'L1,放在炉口烘干。

   ②升温:温度对氧化速率影响很大,为保证氧化膜厚度均匀r硅片要放置在恒温区进行氧化。温度一般控制在900~1200℃的某一温度上.视具体工艺而定。例如,制备3DK4时,一氧温度为1180℃,三氧温度为985℃。

   ③生长:氧化炉恒温后,通人氧化用气体,约10min后将空气排除,然后缓慢地将装有硅片的石英舟推人恒温区,在生长气体氛围下热氧化。

   ④取片:热氧化完成后缓慢地将装有硅片的石英舟拖出,注意拉出速度要慢,以避免温度骤变带来的热应力过大,在推入硅片时也是如此。然后关气,停炉。热氧化是以消耗衬底硅为代价的,这类氧化称为本征氧化,以本征氧化方法生长的二氧化硅薄膜具有沾污少的优点。另外,热氧化温度高,生长的氧化膜致密性好,针孔密度小。因此,热氧化膜常用来作为掺杂掩膜和介电类薄膜。但是,热氧化温度在集成电路生产工序后期是受到严格限制的,囚为高温会改变横向和纵向杂质分布。另外,热氧化只能在硅衬底上生成热氧化薄膜,在非硅表面上得不到热氧化薄膜,所以热氧化薄膜无法作为保护膜。

   在半导体芯片生产中制各s02薄膜的常用方法除了热氧化法外,还有热分解淀积法、外延淀积法等其他生长制各薄膜方式,不同制工艺方法所生产的薄膜性质也有些许差别,如表⒋1所示为不同氧化丁艺制各的⒊O?的主要物理性质。