⒛世纪csO年代出现了磁控直拉法⑴℃Z法)单晶炉,就是在直拉法单晶炉上附加一个稳定的强磁场。 K4X51163PI-FGC6磁控直拉单晶生长技术是在直拉技术基础上发展起来的,磁控直拉工艺和直拉工艺相类似,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。目前,Mz硅已普遍用来制造集成电路和分立器件。

   直拉法生长单晶硅时,坩埚内熔体温度呈一定分布。熔体表面中心处温度最低,坩埚壁面和底部温度最高。熔体的温度梯度带来密度梯度,坩埚壁面和底部熔体密度最低,表面中心处熔体密度最高。地球重力场的存在使得坩埚上部密度高的熔体向下流动,而底部、壁面密度低的熔体向上流动,形成自然对流。熔体流动轨迹示意图如图26所示。随着单晶硅锭直径越来越大,坩埚也就越来越大,熔体对流更加严重,进而形成强对流。熔体的流动将坩埚表面溶人熔体的氧不断带离坩埚表面,进人熔体内;而且熔体强对流也使得单晶生长环境的稳定性变差,引起硅锭表面出现条纹,这有损晶体均匀性。如果在单晶炉上附加一强磁场,高温下具有高导电特性的熔体硅的流动因载流子切割磁力线而产生洛伦兹力.