CCD图像传感器和CMOS图像传感器的光敏元都是硅光二极管,光电转换原理相同,EZJP0V080MA两者在技术性能指标方面的差异主要是读出方式不同,如图3-53所示。

   图3-53 CCD和CMOS读出电路比较

   CCD图像传感器属电荷转移型,CCD模拟移位寄存器需要多路外部驱动脉冲及电源的支持,系统电路相对复杂。CMOS图像传感器通过地址寻址的方法逐个读出光伏二极管产生的电信号。地址选通是数字移位的过程,只需加TL电平的时钟、同步信号即可,仅需单一工作电压供电。

   CCD图像传感器的技术优势在大尺寸、低噪声、高动态范围、高读出速率等方面,适用于要求高探测灵敏度、高空间分辨率、高帧频的成像系统。CMOS图像传感器与CCD图像传感器在这些技术指标方面尚有较大差距。

   从集成度看,CCD图像传感器难以将时序、驱动及信号处理等电路集成在同一芯片上。这些功能只能由多块芯片组合实现,不利于系统微型化。但是,CMOS图像传感器由于采用了标准的CMOS工艺,可以将光敏元阵列、信号读取、模拟放大、A/D转换、数字信号处理、计算机接口电路等集成到一块芯片,使芯片相机(Camera【,n Chip)成为现实。CCD需要三路以上电源来满足特殊时钟驱动的需要,其功耗相对较大。CMOS图像传感器可以单电源工作,如5Ⅴ、3.3Ⅴ单电源,其功耗仅为CCD的1/10。