英特尔公司日前表示，已在其晶圆研发生产厂采用Exitech公司的深超紫外线(EUV)微曝光工具。该工具采用13.5nm EUV光，能曝光30nm隔离线，英特尔将用其论证EUV光阻和掩膜。

    英特尔计划在32nm节点采用EUV方法，该节点工艺将于2009年投入批量生产。该工具在英特尔RP1(research and pathfinding)fab的安装，将EUV引入大批量生产前的“path-finding”阶段，主管制造和技术的英特尔高级副总裁Sunlin Chou表示。

    EUV蚀刻根本上与当今的光栅扫描器相异，后者工作在周围环境下，采用塑料薄膜保护掩膜及微粒。EUV辐射被所有材料吸收，必须工作在真空环境下，不需采用塑料薄膜。

    采用德国Carl Zeiss AG 公司制造的反射光部件而不是折射光，通过精确涂敷的2片镜片和40层硅片及钼来反射EUV波长，13.5nm光直接照射到晶圆上。而以往商用工具需要6片微镜。