大功率晶体管的检测方法与中、小功率M12L1616A-7T晶体管完全一样,但检测时,万用表的量程需更换为R×1挡位、R×10挡位或R×10k挡位;这是因为大功率晶体管的漏电流均较大,若仍选用R×100挡位或R×1k挡位进行测量,则极间电阻将会极小,如此很难判断大功率晶

体管的性能。

   (1)大功率晶体管性能的判别

   ①将万用表置于R×1挡位,两支表笔分别接人大功率晶体管的发射结(基极与发射极)和集电结(基极与集电极)的正向电阻,其阻值均较低;对于锗管,表针靠近表盘的右端,基本位于0Ω附近;对于硅管,表针应位于表盘的中间区域或中间偏右的位置。

   ②将万用表置于R×1挡位,分别测量发射结和集电结的反向电阻;对于硅管,表针应基本不动;对于锗管,表针会产生小幅度的移动、但不应超过表盘满刻度的1/4。

   ③将万用表置于R×1挡位,测量集电极与发射极之间的电阻,对调表笔各测量一次;无论对于硅管还是对于锗管,其阻值均应为∞。

   上述晶体管极间电阻的测量方法中,若电阻测量值符合上述范围,则表明被测晶体管性能良好,否则,表明被测晶体管已受损或性能不良。具体的接线方法如图643所示。

   (2)大功率晶体管放大能力的检测

   将万用表置于R×l挡位,晶体管的基极悬空,测量大功率晶体管的集电极于发射极之间的电阻值,表针应产生小幅度的摆动;若摆动幅度较大,则表明该晶体管的穿透电流过大;若电阻测量值接近于0,则表明该大功率晶体管已经损坏。