光刻胶会对许多形式的能量有反应。这些形式的能量通常是指光能、热能等，或者是指AD8052AR-REEL电磁光谱中具体的某一部分光[如紫外线( UV)、深紫外线(DUV)、I线光(I-Line)等]（见8. 11.2节），j在8.11节中，会对曝光能量有详细的说明。有很多策略是专门用来实现小图形曝光的（见8.5.8节）。一种是用更窄波（或单色波）作为曝光源。传统的基于Novolak的正胶已经被微调过可以用在I—1．ine曝光源卜。然而，在DUV曝光源上，这种光刻胶却不能很好地F作。针对DUV曝光源，光刻胶生产商已经开发了化学放大光刻胶(chemically amplif'iecl re-sist)。化学放大的意思是光刻胶的化学反应会通过化学催化剂而被加快．j用于X射线和电子束(e-beam)L的光刻胶是不同于传统的正胶和负胶的聚合物。

   溶剂：光刻胶中容量最大的成分是溶剂。溶剂使光刻胶处于液态，并且使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶圆表面形成一个薄层。光刻胶是和涂料相类似的，包含染色剂，这种染色剂在适当的溶剂中会被溶解。溶剂用于负胶的溶剂是一种芬芳的二甲苯( xylene)。在IF胶中，溶剂是乙酸乙氧乙酯( ethoxyethyl  acetate)或者是二甲氧基乙醛(2-methoxyethyl)。

   光敏剂：光敏剂被加到光刻胶中用来限制反应光的波谱范围或者把反应光限制到某一特定波长，、在负胶中，一种称为bis-aryldiazide的混合物被加到聚合物中来提供光敏性㈠i。在正胶中，光敏剂是o-naphthaquinonediazide。

   添加剂：不同类型的添加剂和光刻胶混合在一起来达到特定的结果。一些负胶包含染色剂，它在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线。正胶可能会有化学的抗溶解泵统( dissolutioninhibitor system)。这些添加剂可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程被溶解。