热预算问题推动r高压氧化的发展。晶圆中位错的生长和在晶圆表面层中开的边缘二IPP60R520E6是由于氰产生的错位高温氧化的丽个问题。在第一种情况下，位错造成器件性能的各种问题；在第二种情况下，表面位错引起表面漏电或双极型电路硅生长层的退化．

   位错的生长是反应温度和在此温度时反应时间的函数。针对这个问题，一种解决力’案是降低反应温度，此方案本身使得氧化时问变长。一种町以解决两个问题的方案是高压氧化。这些

系统结构很像传统的水平式反应炉，但有一。妊显著不同是：这种炉管是密封的并且氧化剂被用10~25信大气压的压力泵入炉管。，高压氧化的外围要求用一个不锈钢套包住石英管以防止爆裂。

   另…一种选择是用高压系统来维持正常的反应温度，但减少了氧化时间。其他要担心的是，高压系统的安全操作问题以及由于要产生高压而从附加的泵和管道里产生的污染．

   非常薄的MOS栅极氧化生长是高压氧化工艺的候选。薄氧化层必须要结构完整（没有孔等）。足够强的电介质可以防止在栅区的电荷积累。在高压氧化中生成的栅极比在常压时生成的栅极绝缘性强24、．高压氧化1：艺也呵以解决在局部氧化中( LOCOS)产生的“鸟嘴”问题，见16.4.1节里的局部氧化隔离丁艺。图7.26解释了在MOS器件中不希望出现的“鸟嘴”长入了有源区。、高压氧化可以将“鸟嘴”侵蚀进器件的区域减到最小，并在LOCOS工艺中使场氧化层最薄25，、