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Liu等报道了一种能被蓝光芯片

发布时间:2016/11/7 21:10:13 访问次数:608

   选取h―α siAlON∶Eu2+(Li174Si9A130N15∶Eu013)与4ωnm InGaN基蓝光LED芯片制备pc-LED(见图5-53)。AD8566ARMZ-REEL7通过控制荧光体的浓度,可以得到色温在4000~8000K范围内的自光,CRI从63变化到TzI,CRI值低于YAG∶Cc3+基白光LED,原因可能是由于α―siAloN∶Eu2+的发射带缺少绿光和红光发射,光谱范围窄,发光效率只有狃lWW。⒛12年研究发现用蓝光芯片和Eu2+激活的β-s认loN以及C犷α siAlON荧光体的白光LED显色指数可达”。

   Liu等报道了一种能被蓝光芯片激发用于白光LED的⒊SiAlON,并研究了发光性能。

   (srl~yE、)2A12si10N1404黄绿色荧光体,发射波峰位于530nm附近。Eu2+激活的McAlsi50川7(MFS△Ba)的发光性质也在⒛08年被报道,通过组分调整发射光谱范围可达400~甾0nm。

   Xic还报道了一种发射峰位于520nm的Mn2+Mg2+共激活的∫AlON绿色荧光体,该荧光体热稳定性好,蓝光激发后的内量子效率达到犯%(图见5-54)。

   2011年Kousukc报道了一种能被UV芯片激发化学组成为Sr1阝i68~sA16+sOJ106s∶Eu2+的荧光体,发射波长为50洫m,被建议用为蓝绿色荧光体。

    



   选取h―α siAlON∶Eu2+(Li174Si9A130N15∶Eu013)与4ωnm InGaN基蓝光LED芯片制备pc-LED(见图5-53)。AD8566ARMZ-REEL7通过控制荧光体的浓度,可以得到色温在4000~8000K范围内的自光,CRI从63变化到TzI,CRI值低于YAG∶Cc3+基白光LED,原因可能是由于α―siAloN∶Eu2+的发射带缺少绿光和红光发射,光谱范围窄,发光效率只有狃lWW。⒛12年研究发现用蓝光芯片和Eu2+激活的β-s认loN以及C犷α siAlON荧光体的白光LED显色指数可达”。

   Liu等报道了一种能被蓝光芯片激发用于白光LED的⒊SiAlON,并研究了发光性能。

   (srl~yE、)2A12si10N1404黄绿色荧光体,发射波峰位于530nm附近。Eu2+激活的McAlsi50川7(MFS△Ba)的发光性质也在⒛08年被报道,通过组分调整发射光谱范围可达400~甾0nm。

   Xic还报道了一种发射峰位于520nm的Mn2+Mg2+共激活的∫AlON绿色荧光体,该荧光体热稳定性好,蓝光激发后的内量子效率达到犯%(图见5-54)。

   2011年Kousukc报道了一种能被UV芯片激发化学组成为Sr1阝i68~sA16+sOJ106s∶Eu2+的荧光体,发射波长为50洫m,被建议用为蓝绿色荧光体。

    



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