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圆锥形图形化衬底

发布时间:2016/11/6 17:44:54 访问次数:919

   圆锥形蓝宝石衬底的工艺流程包括:①在蓝宝石衬底表面沉积一层厚度为3,5um且具有一定间隔G24101MK-R的圆柱形光刻胶阵列(图5-37(a));②显影后的光刻胶在140℃坚膜过程中热回流形成圆锥形(见图5-37(b)),并增加了与衬底的结合;③以Cb为反应气体ICP刻蚀蓝宝石衬底表面,形成直径3um,高度1.5um和间隔1um的圆锥形阵列。利用圆锥形蓝宝石衬底能够以类侧向生长的方式制备高质量的GaN夕卜延层,以此为基础制备的LED在2fllllA的驱动电流下输出功率为16.5mW,比普通蓝宝石衬底制备的LED输出功率高约35%。

       

   图5-37 圆锥形蓝宝石图形衬底制作过程sEM照片

   (a)圆柱状光刻胶; (b)140℃热回流形成类圆锥形光刻胶阵列; (c)圆锥形蓝宝石表|旬;(d)局部放大sEM观察(版权许可来自IEEE Transactlons oll Ekc仃0nD四iccs,⒛10,57(D,15⒎163) 在此基础上,X。H,Huang等人对于不同倾角的圆锥形的图形衬底进行了优化,得到了33°最优化的倾角,并证明了图形占据的面积越大越有利于出光的结论。

   圆锥形蓝宝石衬底的工艺流程包括:①在蓝宝石衬底表面沉积一层厚度为3,5um且具有一定间隔G24101MK-R的圆柱形光刻胶阵列(图5-37(a));②显影后的光刻胶在140℃坚膜过程中热回流形成圆锥形(见图5-37(b)),并增加了与衬底的结合;③以Cb为反应气体ICP刻蚀蓝宝石衬底表面,形成直径3um,高度1.5um和间隔1um的圆锥形阵列。利用圆锥形蓝宝石衬底能够以类侧向生长的方式制备高质量的GaN夕卜延层,以此为基础制备的LED在2fllllA的驱动电流下输出功率为16.5mW,比普通蓝宝石衬底制备的LED输出功率高约35%。

       

   图5-37 圆锥形蓝宝石图形衬底制作过程sEM照片

   (a)圆柱状光刻胶; (b)140℃热回流形成类圆锥形光刻胶阵列; (c)圆锥形蓝宝石表|旬;(d)局部放大sEM观察(版权许可来自IEEE Transactlons oll Ekc仃0nD四iccs,⒛10,57(D,15⒎163) 在此基础上,X。H,Huang等人对于不同倾角的圆锥形的图形衬底进行了优化,得到了33°最优化的倾角,并证明了图形占据的面积越大越有利于出光的结论。

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