结型FET是在有源极和漏极两个电极的N型半导体中，形成有栅极的P型半导体而构成的。其中， MR-70123在源极和栅极之间流过电流，把此通路称为沟道。因此，把源极和栅极之间的电流在N型半导体中流动的情况称为N型沟道。

   此外，还有源极和漏极之间为P型，栅极为N型的结型FET。这

时，由于电流的通路为P型半导体，所以称为P型沟道。

    MOS型FET

   MOS型FET是在P型半导俸中形成两个N型半导体，将表面氧化形成绝缘良好的氧化绝缘膜，再在其上安装金属作为栅极而构成的。因此，此FET在结构上依次形成金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)，取其首字母称为MOS型。

   在漏极和源极之间加电压时，由于反向电压加在PN结上而形成耗尽层。这时在栅极和P型衬底之间加正电压时，由于栅极的正电压，在下侧靠近栅极的耗尽层内，因静电感应而生成电子。它成为载流子，并形成了电流的通路。这时电子成沟道，所以称为N型沟道。衬底使用N型半导体时，空穴构成沟道，所以称为P型沟道。而且，MOS型FET有两种类型：一种是栅极上即

使不加电压，漏极和源极之间也有电流流动的耗尽型；另一种是如果栅极上不加电压，漏极和源极之间就没有电流流动的增强型。