光子晶体LED
发布时间:2016/8/10 21:11:36 访问次数:510
所谓光子晶体(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子带隙特性的人造周期性电介质结构,或者说是由不同折射率的介质周期性排列而成的人工微结构。JST5N65F光子晶体的出现,使人们操纵和控制光子的梦想成为可能。
文献⒓3]报追了利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,将光子晶体结构引入AlGaInP LED。工维光子晶体LED的输出光强比常规LED平均提高了16%,使用导电胶将AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒装结构LED,在⒛lnA电流下,导电胶粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,饱和电流为125111A,对应的轴向光强为1007,4mcd,而常规LED分别为105mA和266,2mcd。
⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作为反光镜,通过金属共晶键合、光子晶体粗化的方式制作转移到Si衬底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如图6-23(a)所示,其光子晶体用ICP亥刂蚀ll川GaInP,光子晶体的周期为1200nm,空气洞半径为4⒛nm,以AFM坝出腐蚀的深度为500nm。350m`时,光输出比无光子晶体的器件增加80%,图⒍23(b)上图为光子晶体的制作工艺,下图为有无光子晶体的两种LED的sEM图。
所谓光子晶体(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子带隙特性的人造周期性电介质结构,或者说是由不同折射率的介质周期性排列而成的人工微结构。JST5N65F光子晶体的出现,使人们操纵和控制光子的梦想成为可能。
文献⒓3]报追了利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,将光子晶体结构引入AlGaInP LED。工维光子晶体LED的输出光强比常规LED平均提高了16%,使用导电胶将AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒装结构LED,在⒛lnA电流下,导电胶粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,饱和电流为125111A,对应的轴向光强为1007,4mcd,而常规LED分别为105mA和266,2mcd。
⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作为反光镜,通过金属共晶键合、光子晶体粗化的方式制作转移到Si衬底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如图6-23(a)所示,其光子晶体用ICP亥刂蚀ll川GaInP,光子晶体的周期为1200nm,空气洞半径为4⒛nm,以AFM坝出腐蚀的深度为500nm。350m`时,光输出比无光子晶体的器件增加80%,图⒍23(b)上图为光子晶体的制作工艺,下图为有无光子晶体的两种LED的sEM图。