Li D,sum~aM,Fuke s,ct a1。J Appl Phys,2001,90(8)∶42194223, AAT1270IFO-T1

   张连,C.aN基蓝光LED发光效率的研究:[学位论文⒈北京:中国科学院半导体研究所,2012.

    BCm盯dini只ForCntini、VandCrbi1tD,Phys忆al Rc说ew B,1997,56(16)∶10024△0027。

    F0rCnti"V Bcmardi血F,Ambachcr O Appl Phys Lett,2002,80(7)∶1204.

   张宁.氮化物绿光LED极化工程及效率提升研究:[学位论文⒈北京:中国科学院半体研究所,⒛13。

   Bemardni E FiorCntini V physica status solidi(⑴,2002,190(1)∶65-73.

   黄昆,韩汝琦,半导体物理基础,北京:科学出版社,1979。

    叶良修.半导体物理学。北京:高等教育出版社,⒛凹.

   虞丽生.半导体异质结物理。北京:科学出版社,⒛∝.

    sZC s M.Physics of scmiconductor dcvices。Ⅵ1lcy-Intcrscicncc,2007∶74.

   C01ingc J旦Colinge C A。Physics of ScmicOnductor DcⅤiccs。springc吒2005。

   M0rko9H。Nithde sem忆onductors and De呐ces.Springcr Bcrlin Hodc1bcrg,199⒐267.

    Milnes A Cl Fcucht D L.HctcroJunct忆ns aIld metal-scm忆onductor juncuons.Acadcm忆Prcss,1972.

[14] Grundmann M.Thc Physics Of scmiconductors∶An Introduction Inc1uding Dcviccs andNanophysiCs,Springcr,2006∶286。

    Kim M H,schubcrt M凡D缸Q,Ct al.Appl Phys Lc仗,2007,91(1ω∶183507.

    Zhu D,Nocmaun A N,Schubert M F,et al.Appl Phys Lett,2010,96(12)∶121I10,

    Han s H,Cho C、LCC S J,ct d.Appl Phys Lc仗,2010,96(5),

    Park J,Kawakami Y App1Phys Le伉,2006,88(20)∶202107-3.

    Ts缸M￡,Ycn S-H,Kuo孓K。Appl Phys A,2011,10“勾:621-626,

    ChC S,Yuh A,Watanabe H,ct al。Appl抬d Phys忆s Expre“,2009,2⑿)∶021001,

   Yang Z,Li R,Wci Q,ct时,Appl Phys Lctt,2009,94(6)∶^061120。