PL谱在表征和研究材料以及材料内部的动态过程方面非常有效。但是,与其他的实验手BAV23A段类似,PL谱并不能全面地给出某一特定材料的各方面的特性。比如,PL谱虽然能够给出材料系统的本征值,但是不能给出材料本征态波函数、发光过程中暂态动能、输运动力学和空间分布的特征。为此,人们将常规光致发光谱进行了拓展,发展了时间分辨(timc-resolⅤed)光致发光谱、空间分(spatia11y-rcso1Ved)光致发光谱以及近场扫描光学显微法。时间分辨的光致发光谱能够提供有关表面复合、复合动力学以及输运动力学等方面的信息,并且此技术对波函数非常敏感。空间分辨光致发光谱对样品的不均匀性和输运特征敏感。而最近发展起来的近场扫描光学显微法被用来测量半导体材料的表面形貌。

   综合而言,光致发光谱在测量和表征半导体材料的特征方面发挥着十分重要的作用。主要表现为4个方面:①测量材料的发光效率;②材料的组分(如合金);③杂质成分;④薄层厚度(如量子阱厚度)等。