以上Mo源的各自的稳定性及蒸气压力特点之间的差异,在实际使用时都会加以考虑, BAS21-NXP且有针对性地对每种Mo源的源瓶压力和温度(水浴槽温度)甚至源瓶联结组合方式都做个性化设定。例如,TMGa因其蒸气压低,易于挥发,供源效率高,通常其源瓶温度设定在一10℃~10℃之间就足以满足反应所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生长GaN本征层和n型G瘀层的主要Mo源。相应的,当需要用很小流量的TMGa生长量子阱等精细结构时,反而会特别设置双稀释管路,以便有节制地实现小流量精准供应。TMAl源瓶温度如果低于15℃,则其会在源瓶内“冻结”而难以有效供气源。其源瓶温度通常设置在17~25℃之间。Cp2Mg的源瓶温度通常会设置在25~32℃之间,并且配合把Mo源瓶内部口径做大,以便有足够的蒸气被载气带出源瓶,参与p型层的外延掺杂生长。为保证部分蒸气压较低的Mo源总的供应效率和稳定性,甚会同时配置几路同样的Mo源,或对同样的MO源进行双瓶或多瓶串联,例如,通常会将TMIn源瓶进行串联,并且同时提供多路串联的TMIn管路单元。在实际生产中,为了管理的方便,也有将所有Mo源瓶设定为相同温度的情况。目前MOCVD系统中,不管是个性化的Mo源瓶的温度设置,还是统一将所有MO源设定为相同温度,基本上都会将温度放置在室温附近。源瓶温度设置在室温附近,且配备加热带对Mo源瓶出口至反应腔入口的管线进行加热,主要是在考虑设备的工作环境温度下安全稳定地输运气源。这样的适当加热但温度不过高,既防止Mo源在输运管线内凝结,也可避兔各种控制计、仪器和仪表在过高工作环境温度中失灵失效。在Mo源的供应上,质量流量计的量程范围配置与实际外延生长中流量的设定也必须适当,以便精确稳定地供应气源。尤其要避免一个误区,以为载气流量越大就能供应更多的Mo源。实则不然,Mo源的有效量主要由源瓶温度、压力、源瓶内径开口大小等决定。在一定的载气流量范围内,其有效量供应会与载气量成稳定的正比变化关系。但超出一定流量范围,基本载气流量进一步加大,Mo源的实际有效量并不会明显跟随着更大。在MFc的量程选择上,一定要与实际需要控制的气体流量接近,以保证控制精度。除了这些实际的使用处置办法,在实际工作中还要特别注意生产安全。Mo源虽然毒性一般较低,但对水和空气很敏感,遇之会燃烧或爆炸。因此,要特别避免Mo气源曝露在空气或水汽环境,而一旦出现燃烧或等险情,则要严格按照紧急处置规范安全处理。