MOcVD技术始于⒛世纪50年代中期I1’刀。当时是在蓝宝石衬底上生长GaAs,由于两者晶格失配较大,不是严格意义上的晶格外延,所以称为“淀积”或“沉积”。 HD64F2161BTE10V实际材料制备中,大多数化学气相生长均发生在晶格并不完全匹配的衬底上,如在蓝宝石上生长GaN。即便现在的红光LED等结构是在晶格匹配的GaAs衬底上外延生长的,但仍沿用MOcVD这一名称,不过也有文献中用0MCVD(0rganomctallic chcmical vap∝dCposition)、oMVPE(organometa11ic Ⅶpor phase cpitaxy)、包括前面介绍的MOVPE(mctalorganic Ⅶporphasc cpitaxy)等这些名称。事实上,这些名称在今天材料生长的技术上己没有本质的区别或特别所指。随着使用该技术实现了具有高电子迁移率的GaAs微电子器件D]、激光器u5]、太阳能电池lbl的成功制备,MOCVD技术引起人们极大的兴趣并进行了广泛的研究。

   1986年Aman0冂等人利用MOCVD技术生长低温AN缓冲层,成功地生长出质地透明、表面没有裂纹的GaN薄膜,并于1989年利用Mg实现p型掺杂。随后在此基础上,研制出具有pn结之G瘀蓝光LED,从此开创了蓝光LED的历史。19呢年日本日亚化学公司(Ni曲ia)的中村修二(Nakamura)使用热退火技术成功活化G瘀薄膜,于1993年

底实现了InGaN异质结发光二极管的产业化lgl,并于1995年研制成功InG(N量子阱蓝光激光器lOl,该产品迅速推向市场。截至⒛14年底,全球己有超过⒛00台MOCVD系统广泛应用于LED的工业生产和技术研究,其中绝大多数设备用于生长G焖基的蓝绿光LED外延片。

   图19是典型的MOCVD生长过程示意图。在MOCVD反应室内,为了使生长的材料稳定、可重复且均匀性好,通常要调整外延条件(如温度、压力、总气流量、衬底转速等)以在衬底表面形成稳定的层流,称为边界层。