LED结构中其他外延层

发布时间:2016/7/27 21:46:54 访问次数:445

LED结构中其他外延层,如AlGaN、n-AlGaN、p-AlGaN及超晶格结构等的生长情况上述结构的生长类似。

除MOCVD技术之外,LED的生长还可以采用其他外延生长技术来实现,主要有分子束外延、HD64F2149YVTE10化学束外延,以及液相外延。这里就不――介绍。本章节主要介绍MOCVD技术和相关知识,并结合G洲基的蓝绿光LED的外延生长、兼顾AlGaInP材料系列红黄光LED的外延生长进行举例分析和探讨。

MOcVD技术始于⒛世纪50年代中期I1’刀。当时是在蓝宝石衬底上生长GaAs,由于两者晶格失配较大,不是严格意义上的晶格外延,所以称为“淀积”或“沉积”。实际材料制备中,大多数化学气相生长均发生在晶格并不完全匹配的衬底上,如在蓝宝石上生长GaN。即便现在的红光LED等结构是在晶格匹配的GaAs衬底上外延生长的,但仍沿用MOcVD这一名称,不过也有文献中用0MCVD(0rganomctallic chcmical vap∝dCposition)、oMVPE(organometa11ic Ⅶpor phase cpitaxy)、包括前面介绍的MOVPE(mctalorganic Ⅶporphasc cpitaxy)等这些名称。事实上,这些名称在今天材料生长的技术上己没有本质的区别或特别所指。随着使用该技术实现了具有高电子迁移率的GaAs微电子器件D]、激光器u5]、太阳能电池lbl的成功制备,MOCVD技术引起人们极大的兴趣并进行了广泛的研究。

LED结构中其他外延层,如AlGaN、n-AlGaN、p-AlGaN及超晶格结构等的生长情况上述结构的生长类似。

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相关IC型号: HD64F2149YVTE10; HD6404729B33; HD641016CP10; HD641016CP8; HD6411F; HD6412240FA13; HD6412240FA20; HD6412240TE13; HD6412312SVF25; HD6412312VF25; HD6412312VF25V

LED结构中其他外延层

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