扩散是一种基本的掺杂技术。通过扩AD7892BR-2REEL散将一定种类和一定数量的杂质掺入到硅片或其他晶体中,以改变其电学性质。掺杂可形成双极器件的基区、发射区和集电区,MOS器件的源区与漏区,以及扩散电阻、互连引线、多晶硅电极等。

   在硅中掺入少量Ⅲ族元素可获得P型半导体,掺入少量V族元素可获得N型半导体。掺杂的浓度范围为1014~1021cm3,而硅的原子密度是5×1022cm3,所以掺杂浓度为1017cm3时,相当于在硅中仅掺入了百万分之几的杂质。

   P型半导体中掺入的杂质为硼或其他的三价元素,硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时,将因缺少一个价电子而形成一个空穴,于是半导体中的空穴数目大量增加,空穴成为多数载流子,自由电子则成为少数载流子。

   N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素,磷原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时,多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子,于是半导体中的自由电子数目大量增加,自由电子成为多数载流子,空穴则成为少数载流子。