沉积也叫积淀,是指在晶TDA1519C/N3/S460圆上沉积一层膜的工艺。沉积薄膜的工艺主要包括化学气相沉积和物理气相沉积。

   化学气相沉积(Chcmical Vapour Dcposition,CVD)是指单独综合地利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其他形式的能源,使气态物质在固体的热表面上发生化学反应,形成稳定的固态物质,并沉积在晶圆片表面上的一种薄膜制备技术。

   目前在集成电路的制造中,除了某些薄膜(尤其是金属膜)因特殊原因外,其他所有薄膜材料均可以用CVD法来沉积。主要的介电材料有s⒑2、si3N4、硼磷硅玻璃(Boro Pho叩ho silic菠c一C△1ass,BPSG)及磷硅玻璃(Phospho silic狨c一Glass,PsG)等;导体有硅化钨(Wsk)、钨(W)及多晶硅等,半导体有硅、砷化镓(GaAs)和磷化镓(GaP)等。

   用CVD法沉积薄膜,实际上是从气相中生长晶体的物理一化学过程。对于气体不断流动的反应系统,其生长过程可分为以下几个步骤:参加反应的混合气体被输送到衬底表面,反应物分子由主气流扩散到衬底表面,反应物分子吸附在衬底表面上,吸附分子与气体分子之间发生化学反应,生成圃态物质,并沉积在衬底表面。反应副产物分子从衬底表面解析。副产物分子由衬底表面扩散到主气体流中,然后被排出沉积区。

   以上这些步骤是连续发生的,每个步骤的生长速率是不同的,总的沉积速率由其中最慢的步骤决定,这一步骤称为速率控制步骤。

在常压下,各种不同硅源沉积硅薄膜的速率与温度有关。在高温区沉积速率对温度不太敏感,这时沉积速率实际是反应剂的分子通过扩散到达衬底表面的扩散速率;在低温区,沉积速率和温度之间成指数关系。