贝尔实验室又构思出了在晶圆的表面沉积一层称为外延层( epitaxial layer)的高纯度膜，AD8132ARMZ再在其j二形成晶体管的技术（见第12章），使用这种技术町制作出更高速度的晶体管，并提供r -个使得在双极型电路中元件封装更紧密的方案。

   20世纪50年代的确是半导体发展的黄金时期，几乎所有基本的工艺和材料都是在这个非常短的时期内开发出来的。在这十年里，由开始用锗材料制造小量的简单器件，发展到奠定r半导体未来的第一块集成电路和硅材料的基础，

   在要求新的制造L：艺、新的材料和新的制造设备以制造出新产品的推动下，20世纪60年代是该行业开始成长为成熟工业的十年。该行业芯片价格的下降趋势也是20世纪50年代建讧的产业发展的推动力。

   技术随着程师在硅谷、环波t：顿周边的第128rj-路以及得克萨斯州的不同公司间的流动而传播，到r 20世纪60年代，芯片制造厂的数量猛增，并且【艺接近了吸引半导体特殊供应商的水平.

   20世纪50年代的许多关键人物创建了新公司。Robert Noyce离开了仙童(Fairchild)公司建谚r英特尔公司（‘j Andrew Grove和Cordon Moore一起），Charles Sporck也离开了仙童公r习开始经营国家半导体公司，Signetics公司成为第一家专门从事集成电路制造的公司、，新器件设计通常是公司开始的动力，然而，价格的下跌是一个残酷的趋势，会将许多新、老公司驱逐出局.

   1963午，塑封在硅器件E的使用加速了价格的下跌，同一年，美国无线电( RCA)公司宣布开发出厂绝缘场效应管( IFET)，这为MOS工业的发展铺平了道路。RCA还制造出了第一个互补型MOS( CMOS)电路。