多晶硅栅极( polycide MOS gate)：金属氧化物半导体中的一种常见的￡明治栅极结构，在DM74LS374N氧化硅的表面卜有一层多晶硅，在多晶硅的表面再覆盖一层不易熔的金属层，多晶硅（polycrystalline silicon）：具有很多短程有序晶体『巾．整体无序的硅结构．聚合物( polymer)：有很多重复结构组成的有机物的聚合物。正胶( positive resist)：光刻胶的一种，这种光刻胶在接触到光线被曝光之后，在后续的显影工艺中会被去掉，没有被曝光的部分在显影之后会被保留下来。对于光刻掩模版的图案，应用正胶可以得到掩模版的正片图像。

   曝光后烘焙( post exposure bake)：在曝光工艺完成后为了减少图案驻波影响而采用的烘焙】：艺预淀积( predeposition)：在对半导体材料的晶体结构进行定量掺杂时的一个1：艺步骤．底胶( primer chemical)：为r增强确定薄膜的黏合度而加入的化学品（在半导体r艺中，这种需要增强的薄膜通常是光刻胶）。

   工艺设备( process tool)：用于晶圆制造的工艺设备和系统的术语。投影光刻( projection alignment)：在光刻工艺中，使用光学方法将掩模版上的图案投影到 圆f：这种方法可以防止掩模版和光刻胶涂层的损坏，同时又具有与接触式光刻方法同样的生产率，．在大规模集成电路和VLSI集成电路生产中，这种投影方法是标准方法投影光刻机( projection aligner)：通过光线投影的方法进行图案转移的机器。可编程只读存储器( Programmable Read-Only Memory，PROM): -种只渎存储器，在仔储器阵列中每个单元电路都具有熔丝，通过将某些熔丝烧断，可以对用户特定的信接近式光刻机( proximity aligner)：在显影过程中，将掩模版和晶圆保持很近距离的1种平板光刻机.