非晶硅太阳能电池是发展最完整的薄膜式太阳能电池，其结构通常为PiN（或NiP）形，p层跟N层主要用于建立内部电场，i层则由非晶系硅构成。 M64074GP由于非晶系硅具有高的光吸收能力，因此i层厚度通常只有0,2～0.5 Um。其禁带宽度范围为1.1～1.7eV，不同于晶圆硅的l.leV，非晶物质不同于结晶物质，结构均一度低，因此电子与空穴在材料内部传导，如距离过长，两者重合几率极高，为避免此现象发生，i层不宜过厚，但如太薄，又易造成吸光不足。为克服此问题，此类型太阳能电池采月多层结构堆栈方式设计，以兼顾吸光与光电效率。

   非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多，其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等，反应原料气体为H2稀释的SiH4，衬底主要为玻璃及不锈钢片，制成的非晶硅薄膜经过不同的太阳能电池工艺过程可分别制得单结太阳能电池和叠层太阳能电池。

   非晶硅太阳能电池一般是用高频辉光放电等方法使硅烷( SiH4)气体分解沉积而成的，由于分解沉积温度低（200℃左右），因此制作时能量消耗少，成本比较低，且这种方法适于大规模生产，单片太阳能电池面积可以做得很大（如0.5m×l.Om），整齐美观。