由于近十年单晶硅工艺的砑究与发展很快，其工艺也应用于多晶硅太阳能电池的生产，MTV412V比如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极等工艺，。采用丝网印制技术可使栅电极的宽度降低到50Um，高度达到151im以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在lOOcrr12的多晶硅片上做出的太阳能电池转换效率超过14%。据报道，目前在50～60Um多晶硅衬底上制作的太阳能电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印制技术的lOOcrri2多晶硅片的太阳能电池转换效率超过17%，无机械刻槽在同样面积上效率达到16%，采用埋栅结构，机械刻槽的l30cm2多晶硅片的太阳能电池转换效率达到15.8%。

   非晶硅太阳能电池

   开发太阳能电池的两个关键问题是：提高转换效率和降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能池具有低的成本，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展。早在20世纪70年代初，Carlson等就已经开始了对非晶硅太阳能电池的研制工作，近几年它的研制工作得到了迅速发展，目前世界上已有许多家公司在生产该类太阳能电池产品。非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV，使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退效应，使得太阳能电池的性能不稳定。解决这些问题的途径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是在制备的PiN层单结太阳能电池上再沉积一个或多个PiN层电池制得的。