绝缘栅场效应管的结构。它与结型场效应管不同之处，在R27V1652D于它的栅极是从二氧化硅上引出，栅极是与源极、漏极绝缘的。绝缘栅场效应管亦因此而得名。

   绝缘栅(MOS)场效应管有耗尽型和增强型之分。当UcS=O时，源漏之间就存在导电沟道的，称作耗尽型场效应管；如果必须在l ucs I>o的情况下才存在导电沟道的，则称为增强型场效应管。因此绝缘栅场效应管有N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道增强型4种不同的类型。N沟道MOS场效应管和P沟道MOS场效管的主要差别就是它们正常所需要偏压的正负极性正好相反，它们的输出电流方向也正好相反。增强型MOS场效应管只有加上一走栅压时，管子才导通，这个栅压叫阈值电压UT。

   绝缘栅场效应管由于栅极是绝缘的，所以输入电阻极高，一般在l012Q以上，比结型场效应管要高几个数量级。由于栅极绝缘，栅漏极反向电流极小，栅漏结相当于一个具有非常大电阻的电容器，所以若是电烙铁外壳没接地去焊接它，或人手碰一下它的引脚，就能使栅漏结被感应充电，其充电电压足以大于击穿电压，使管子烧毁。