压敏电阻器的材料及组成的检测大多选用光谱分析、X射线显微分析和荧光X射线分析。HEF4049BT可以分析材料组成的基本成分、杂质成分和添加物的分布。

   结晶构造的检测可采用X射线衍射仪，它可以分析添加物及其生成反应物的结晶相。例如，锑的存在形式为尖晶石时，有利于温度稳走性，Bi。0。形成的口、卢、），、艿型的富铋相比例不同时，荷电稳定性不同。

   晶体的形状、大小，添加金属氧化物形成的晶界厚度及分布在晶界上的颗粒'(尖晶石类)，可以采用高倍显微镜和扫描电子显微镜及图像分析装置来观测。要提高单位厚度的压敏电压、浪涌特性等，必须保证单个电阻体内晶粒均匀一致。结晶粒界状态可利用X显微分析和扫描电子显微镜来分析。粒界势阱能级、粒界电子构造可借助于深度暂态光谱学来加以确定。至于瓷件的内部缺陷（如夹层、空隙等）可用超声探伤和X射线透视方法来判断。