固体钽电解电容器的介质氧化膜五氧化二钽(Ta。O。)，由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点和缺陷，虽然钽块在高温烧结时，M27C2001-15C1大部分被烧毁或蒸发掉，但仍有少量存在。在赋能、老练过程中，这些疵点在电压、温度的作用下成为场致晶化的发源地——晶核，在长期作用下，促使介质膜以较快的速度发生物理、化学变化，也就是应力的积累，到一定时候引起介质的局部击穿和过热。例如，在一定温度下(425～450℃)因Mn0。的热分解还原成电阻系数较大的Mn。O。和新生态氧而得到自愈；如果温度更高(550～800℃)无定形的介质氧化膜还会转变成介电性能很差的结晶型氧化膜，通常把此转变称为热致晶化。如果介质中含有杂质，在强电场的作用下，即使在比较低的温度下（例如，在O～100℃）也能出现晶化，把此称为场致晶化。当介质中因工艺原因已出现晶核，则在电场和温度作用下，晶区不断扩大，而形成晶化的氧化膜，从而导致漏电流急剧增大而击穿。

   进一步分祈发现：这些晶化的氧化物还包含由钽、锰共融结晶形成的黑色物质。此外，当介质氧化膜中的缺陷部位较大而集中时，一旦发生瞬时击穿，则很大的短路电流将使产品迅速过热而失去热平衡，局部的自愈已无法修补氧化膜，从而导致迅速击穿失效。