根据氧化层的击穿是由于空穴被陷入并积聚在氧化层内的局部陷阱（弱斑）处，L123CB陷入的空穴流可表示为  

   (Eox)是F-N电流密度，它正比于e_BEox，a是电离碰撞空穴产生系数cc Eox。Ce一H/EOX，B为与电子有效质量和阴极界面势垒有关的常数(≈240MV／cm)，H≈80MV／cm，为经历的时间。

   当Q。达到某一临界值时即产生击穿，时间为tBD

   B+HjL

   tBD OC eEOX oC eEOX

   实际氧化层中可能存在局部减薄区（如盲孔），局部电荷的积累，存在杂质或沾污，使局部电场增强或界面处势垒减弱，这都使F-N电流增加，栅氧提前击穿。如果不考虑其击穿的物理机制，仅从击穿的后果来考虑，引入等效氧化层减薄这一概念，上述栅氧的各种缺陷用一等效减薄量来表示，则上式成为

    Xox为栅氧名义厚度，AXox是由于存在缺陷而使栅氧减薄的量，X。，，是等效栅氧厚度，ro为一常数。这样栅氧击穷时间的统计分布就可并入AXox的统计分布中，而局部减薄处的面积并不重要。当某个局部处发生短路，整个栅氧就发失效。根据这一思路，就可编制程序对栅氧可靠性加以模拟，这就是RERT（美国加州伯克利大学可靠性模拟工具）中CORS(电路氧化层可靠性模拟器)的数学基础。