IR新型40V同步整流MOSFET优化电信和数据通信应用
发布时间:2007/8/28 0:00:00 访问次数:467
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。
IRF7842的额定电压为40V，若用于电信及数据系统的副边同步整流电路，则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽，一般在36V到75V之间，因而会在副边产生5V至12V的电压波动。由于额定30V器件不能提供所需的额定富裕电压，所以需采用额定40V MOSFET。全新40V器件使IR针对电信系统的副边电源管理开关器件阵营更加充实。
当IRF7842用于配备IR2085S原边脉宽调制(PWM)集成电路的隔离式直流-直流总线转换器中的副边同步整流时，可在150W全负载条件下效率达到95.2%；在相同直流-直流总线转换器中，IRF7842的效率要比业界标准的40V器件高出0.5%。 （转自 电子工程专辑）
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET，优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。
IRF7842的额定电压为40V，若用于电信及数据系统的副边同步整流电路，则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽，一般在36V到75V之间，因而会在副边产生5V至12V的电压波动。由于额定30V器件不能提供所需的额定富裕电压，所以需采用额定40V MOSFET。全新40V器件使IR针对电信系统的副边电源管理开关器件阵营更加充实。
当IRF7842用于配备IR2085S原边脉宽调制(PWM)集成电路的隔离式直流-直流总线转换器中的副边同步整流时，可在150W全负载条件下效率达到95.2%；在相同直流-直流总线转换器中，IRF7842的效率要比业界标准的40V器件高出0.5%。 （转自 电子工程专辑）
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